ホバーでズームイン
トランジスタG30N60A4Dg30n60a 30N60A4 600V 75A TO-247中国深セン
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
g30n60a
タイプ
Mosfet
銘柄
Original
パッケージのタイプ
穿孔
その他の属性
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
-
d/c
21+
適用
Mosfet ドライバ
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, Odm, 代理店, 小売店
メディア利用可能
データシート
品名
MOSFET N-CH TO-220
電流コレクタ (Ic) (最大)
-
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
-
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
電流コレクタカットオフ (最大)
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
電源-Max
-
周波数遷移
-
動作温度
-
マウンティング類
穴を通して
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
-
FET 機能
標準
ドレンにソース電圧 (Vdss)
-
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
-
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
-
Vgs (th) (最大) @ Id
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
-
Vgs (最大)
-
IGBT タイプ
-
構成
standard
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
--
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
-
包装と配送
梱包の詳細
オリジナル梱包
ポート
HK/SZ
供給能力
供給能力
20000 pcs per Week
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 1000 | 1001 - 3000 | > 3000 |
| 推定時間（日） | 3 | 5 | 交渉による |
カスタマイズ
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