ホバーでズームイン
SHIJI CHAOYUE MOSFET IRFIBF20G N-CH 900V 1.2A TO220FP IRFIBF20GPBF
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
IRFIBF20GPBF
タイプ
Mosfet
銘柄
Original Brand
パッケージのタイプ
穿孔
その他の属性
取付タイプ
SMD/SMT, 穴を通して
説明
オリジナル, MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
TO-220-3フルパック, 孤立したタブ
タイプ
RFトランジスター
実用温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
d/c
-
適用
-
クロスリファレンス
-
品名
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
電流コレクタ (Ic) (最大)
-
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
-
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
電流コレクタカットオフ (最大)
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
電源-Max
-
周波数遷移
-
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
Nチャネル, Nチャネル
FET 機能
-
ドレンにソース電圧 (Vdss)
900V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
1.2A (Tc)
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
8Ohm @ 720mA、10V
Vgs (th) (最大) @ Id
4V @ 250uA、4V @ 250uA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
38nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
490pF @ 25V
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
10V
Vgs (最大)
± 20V
IGBT タイプ
-
構成
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
-
部品番号
IRFIBF20G
ソース電圧へのドレイン
900V
现在の @ 25 °C
1.2A (Tc)
ゲートチャージ @ Vgs
38nC @ 10V
入力容量 @ Vds
4V @ 250uA
パワー散逸 (マックス)
30W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
会社
SHIJI CHAOYUE
お支払い
TT PAYAPL ALIPAY
配送方法
DHL EMS UPSフェデックス
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 推定時間（日） | 5 | 交渉による |
カスタマイズ
カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 99999
カスタマイズの詳細については、 サプライヤーにメッセージを送信
サプライヤーからの製品説明
100 - 499 ピース
THB 108.47
500 - 999 ピース
THB 93.51
>= 1000 ピース
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