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パワーMOSFET (高速ダイオード付き) 30NM60ND STI30NM60N I2PAK

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キー属性

中核事業の明細

モデル番号
STI30NM60N
銘柄
ST
パッケージのタイプ
穿孔

その他の属性

原産地
United States
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
品名
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
動作温度
150°C (TJ)
マウンティング類
穴を通して
FET タイプ
N-Channel
ドレンにソース電圧 (Vdss)
600V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
130mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (最大) @ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
91nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2700pF @ 50V
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
10V
Vgs (最大)
±30V
Electronics Description
Power MOSFET (with fast diode)

包装と配送

梱包の詳細
Sealed package, tube, reel
ポート
shenzhen

供給能力

供給能力
100 pcs per Week

サプライヤーからの製品説明

10 - 99 ピース
JP¥128
>= 100 ピース
JP¥120

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