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PSMN4R0-40YSトランジスタFETシングルFET MOSFET (金属酸化物) ディスクリート半導体製品シングルトリプルソースパワーMOSFET
レビューはまだありません
Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.
2 yrs
CN
キー属性
中核事業の明細
モデル番号
PSMN4R0-40YS 115
タイプ
翻訳者
銘柄
original brand
パッケージのタイプ
表面実装
その他の属性
取付タイプ
表面マウント
説明
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
原産地
original
パッケージ/ケース
SC-100 SOT-669
タイプ
Nチャネル
実用温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
シリーズ
オリジナル
d/c
最新
適用
汎用
サプライヤータイプ
小売店
クロスリファレンス
568-4905-1-ND
メディア利用可能
データシート, 写真, EDA/CAD モデル
品名
トランジスタ
電流コレクタ (Ic) (最大)
オリジナルスタンダード
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
オリジナルと同じ
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
オリジナルスタンダード
電流コレクタカットオフ (最大)
オリジナルと同じ
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
オリジナルスタンダード
電源-Max
106W (Tc)
周波数遷移
オリジナルと同じ
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
オリジナルスタンダード
抵抗-エミッタベース (R2)
オリジナルと同じ
FET タイプ
Nチャネル
FET 機能
オリジナルスタンダード
ドレンにソース電圧 (Vdss)
40 V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
4.2mOhm @ 15A、10V
Vgs (th) (最大) @ Id
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
38 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2410 pF @ 20 V
周波数
オリジナルスタンダード
定格電流 (アンペア)
オリジナルと同じ
雑音指数
オリジナルスタンダード
パワー出力
106W (Tc)
電圧定格
オリジナルと同じ
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
4.5V 10V
Vgs (最大)
± 20V
IGBT タイプ
オリジナルスタンダード
構成
シングルトリプルソース
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
オリジナルスタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce
オリジナルと同じ
入力
オリジナルスタンダード
NTC サーミスタ
オリジナルと同じ
電圧内訳 (V (BR) GSS)
オリジナルスタンダード
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
オリジナルと同じ
電流ドレイン (Id)-Max
オリジナルスタンダード
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
オリジナルと同じ
抵抗 RDS (On)
オリジナルスタンダード
電圧
オリジナルと同じ
電圧出力
オリジナルスタンダード
電圧オフセット (Vt)
オリジナルと同じ
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
オリジナルスタンダード
電流谷 (Iv)
オリジナルと同じ
電流ピーク
オリジナルスタンダード
アプリケーション
一般的な目的
トランジスタタイプ
Nチャネル
SPQ
1.5k/リール
プロセス技術
TMOS
テクノロジー
MOSFET (金属酸化物)
単位重量:
0.003225オンス
チャネルモード:
強化
典型的な秋の時間 (ns)
12
チャンネル数:
1チャンネル
チップあたりの要素数
1
PCBが変更されました
4
ピン数
5
包装と配送
販売単位:
単一品目
単一のパッケージサイズ:
19X19X10 cm
単一の総重量:
1.000 kg
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リードタイム
数量 (ピース)
1 - 1500
> 1500
推定時間(日)
15
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最大発注数量: 1 ピース
サンプル価格:
$1.00/ピース
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カスタマイズ
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最低 注文: 1500
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このサプライヤーについて
Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.
2 年
所在地 CN
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