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メモリチップTC58BVG0S3HTA00TSOP48パッケージFLASH東芝12オリジナル
レビューはまだありません
1 注文
Shenzhen Xinsheng Microelectronics Technology Co., Ltd.
3 yrs
CN
ホバーでズームイン
キー属性
中核事業の明細
モデル番号
TC58BVG0S3HTA00
タイプ
Mosfet
銘柄
FYX
パッケージのタイプ
穿孔
その他の属性
取付タイプ
-
説明
-
原産地
China
パッケージ/ケース
-
d/c
最新
適用
一般的な増幅
品名
トランジスタ
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
-
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
動作温度
-
マウンティング類
-
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET 機能
-
ドレンにソース電圧 (Vdss)
-
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
-
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
-
Vgs (th) (最大) @ Id
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
-
Vgs (最大)
-
IGBT タイプ
-
構成
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
-
トランジスタタイプ
-
パート番号
IPA60R190E6
商品名
トランジスタ
パッケージ
TO--220
条件
Brand Newandオリジナル
リードフリーステータス
RoHS非準拠
保証
30 ~ 90日
MOQ
5
詳細
ヘレンに電話する
データシート
Plzの連絡先
サービス
BOMリストの見積もり
包装と配送
ポート
shenzhen
供給能力
供給能力
2500 pcs per Week
もっと見る
リードタイム
数量 (ピース)
1 - 25000
> 25000
推定時間(日)
4
交渉による
カスタマイズ
カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 5000000
カスタマイズの詳細については、
サプライヤーにメッセージを送信
サプライヤーからの製品説明
>= 1 ピース
THB 39.00
バリエーション
合計オプション数:
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