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MOSFETトランジスタSI4925DDY-T1-GE3集積回路オリジナル
レビューはまだありません
キー属性
中核事業の明細
モデル番号
SI4925DDY-T1-GE3
タイプ
トランジスタ
銘柄
Standard
パッケージのタイプ
表面実装
その他の属性
取付タイプ
標準
説明
標準
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
標準
タイプ
MOSFET, MOSFET, MOSFETトランジスタ
実用温度
-55 °Cから + 150 °C
d/c
23
適用
汎用
メディア利用可能
データシート
品名
MOSFETトランジスタ
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
標準
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
標準
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
標準
抵抗-ベース (R1)
標準
抵抗-エミッタベース (R2)
標準
FET 機能
標準
ドレンにソース電圧 (Vdss)
標準
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
標準
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
標準
Vgs (th) (最大) @ Id
標準
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
標準
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
標準
周波数
標準
定格電流 (アンペア)
標準
雑音指数
標準
パワー出力
標準
電圧定格
標準
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
標準
Vgs (最大)
標準
IGBT タイプ
標準
構成
シングル
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
標準
入力容量 (Cies) @ Vce
標準
入力
標準
NTC サーミスタ
標準
電圧内訳 (V (BR) GSS)
標準
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
標準
電流ドレイン (Id)-Max
標準
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
標準
抵抗 RDS (On)
標準
電圧
標準
電圧出力
標準
電圧オフセット (Vt)
標準
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
標準
電流谷 (Iv)
標準
電流ピーク
標準
アプリケーション
一般目的
部品番号
SI4925DDY-T1-GE3
保証
1年
パッキング
リール
品質
オリジナル & 新品のみ
RoHSステータス
ROHS準拠
お支払い
取引保証 \ TT \ VISA \ MoneyGram \ PAYPAL \ Escrow
発送
DHL \ FEDEX \ UPS \ TNT \ EPACK \ 中国ポスト
リードタイム
3日間
BOMリストサービス
はい
包装と配送
梱包の詳細
SI4925DDY-T1-GE3: リール/チューブ
ポート
Shenzhen
供給能力
供給能力
10000000 pcs per Month
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 3000 | 3001 - 10000 | > 10000 |
| 推定時間（日） | 1 | 3 | 交渉による |
カスタマイズ
Label
最低 注文: 1
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サプライヤーからの製品説明
1 - 99 ピース
€1.75
>= 100 ピース
€0.5399
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