ホバーでズームイン
パワーMOSFET 4n65 ITO-220AB 4N65 650V Nチャンネルオリジナル
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
4N65
タイプ
Mosfet
銘柄
YSW
パッケージのタイプ
穿孔
その他の属性
取付タイプ
穴を通して
説明
N-CHANNEL MOSFET
原産地
China
パッケージ/ケース
ITO-220AB
実用温度
-55 ℃ ~ + 150 ℃
d/c
23
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, Odm
ドレンにソース電圧 (Vdss)
650V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
4A
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
2.5
Vgs (th) (最大) @ Id
4V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
14.3nC
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
560PF
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
10uA
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 2500 | > 2500 |
| 推定時間（日） | 8 | 交渉による |
サプライヤーからの製品説明
1 - 999 ピース
$0.18
>= 1000 ピース
$0.15
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