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IGBTトランジスタFGH60N60SFD FGH60N60SFDTU FGH60N60SMD FGH60N60オリジナル600V 120A 298W 60n60 DIP
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
FGH60N60
タイプ
mrf150 rf power transistor
銘柄
FGH60N60
パッケージのタイプ
MOSFETオリジナル
その他の属性
取付タイプ
スルーホール表面マウント/スルーホールSMT
説明
Mosfetトランジスタ
原産地
China
パッケージ/ケース
-
タイプ
Mrf150 rfパワートランジスタ
実用温度
-
シリーズ
GAE
d/c
穴
適用
オリジナル
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー
クロスリファレンス
-
メディア利用可能
その他
品名
FGH60N60
電流コレクタ (Ic) (最大)
-
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
-
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
電流コレクタカットオフ (最大)
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
電源-Max
-
周波数遷移
-
動作温度
-
マウンティング類
穴を通して
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
-
FET 機能
標準
ドレンにソース電圧 (Vdss)
-
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
-
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
-
Vgs (th) (最大) @ Id
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
-
Vgs (最大)
-
IGBT タイプ
-
構成
三相
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
オリジナル
トランジスタタイプ
Mrf150 rfパワートランジスタ
サービス
ライン上のGAE 24/7
製品ステータス
在庫あり
品質保証
100% 新しいオリジナル
起源の場所
オリジナルメーカー
お支払い
Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
電圧-出力
-
リードタイム
1-3仕事日
最低価格
お問い合わせください。
入力
-
保証
1年
包装と配送
梱包の詳細
高品質パッケージ
販売単位：
単一品目
単一のパッケージサイズ：
25X25X25 cm
単一の総重量：
0.010 kg