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MOSFET 600V 200A IGBT等価トランジスタ30F124 TO-220F等価30f124トランジスタ600v 30aパワーMOSFET

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キー属性

中核事業の明細

モデル番号
30F124
タイプ
FET
銘柄
original
パッケージのタイプ
/

その他の属性

原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
TO-220F
d/c
19+ 20+
適用
SWITCHING
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, Odm, 代理店
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
power
電流コレクタ (Ic) (最大)
30A
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
1200V
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
電流コレクタカットオフ (最大)
1UA (ICBO)
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
10 @ 8A, 5V
電源-Max
2W
周波数遷移
100MHz
動作温度
-40°C ~ 125°C
マウンティング類
穴を通して
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
N-Channel
FET 機能
標準
ドレンにソース電圧 (Vdss)
150V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
2.2Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (最大) @ Id
4V 250
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
118nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2320pF @ 25V
周波数
High frequency tube
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
2W
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
-
Vgs (最大)
±25V
IGBT タイプ
IGBT Trench, Trench
構成
シングル
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
2.8V @ 15V, 30A
入力容量 (Cies) @ Vce
VDS = 8V, VGS = 0V f=1.0MHz
入力
standard
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
60V
電圧出力
-0.5~30V
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
LCD power supply

包装と配送

梱包の詳細
New And Original Packing
ポート
HK/SZ

供給能力

供給能力
50000 pcs per Week

リードタイム

数量 (ピース)1 - 3000030001 - 50000 > 50000
推定時間(日)35交渉による

カスタマイズ

brand
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