ホバーでズームイン
RF MOSFET ECX10N20 + ECX10P20 10P20 TO-247 10A 200V N-ch + P-ch
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
ECX10N20
タイプ
ICチップ
銘柄
original
パッケージのタイプ
穿孔
その他の属性
取付タイプ
穴を通して
説明
トランジスタ
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
TO-220-3
タイプ
標準
実用温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
d/c
-
適用
電子
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, Odm, 代理店, 小売店
クロスリファレンス
-
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
電流コレクタ (Ic) (最大)
-
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
-
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
電流コレクタカットオフ (最大)
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
電源-Max
-
周波数遷移
-
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
Nチャネル
FET 機能
-
ドレンにソース電圧 (Vdss)
55V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
8mOhm @ 62A、10V、8mOhm @ 62A、10V
Vgs (th) (最大) @ Id
4V @ 250uA、4V @ 250uA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
146nC @ 10V、146nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3247pF @ 25V、3247pF @ 25V
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
10V
Vgs (最大)
± 20V、 ± 20V
IGBT タイプ
-
構成
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
-
トランジスタタイプ
Mrf150 rfパワートランジスタ
ブランド
100% 新品オリジナル
品質保証
利用可能なテストレポート
パッケージ
ラベル付きオリジナル
効率的
迅速な配達
包装と配送
梱包の詳細
標準パッケージ
ポート
Shenzhen
供給能力
供給能力
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リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 推定時間（日） | 1 | 3 | 交渉による |
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