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集積回路40N60トランジスタ600VコレクターエミッターMOSFET IGBT To-3P 40N60NPFDトランジスタ

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キー属性

中核事業の明細

モデル番号
NCE
タイプ
Igbtトランジスタ
銘柄
NCE
パッケージのタイプ
表面実装

その他の属性

取付タイプ
表面マウント
説明
MOSFET
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
MOSFET
タイプ
-
実用温度
-
d/c
最新
適用
一般目的
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー
メディア利用可能
データシート
品名
-
電流コレクタ (Ic) (最大)
標準
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
標準
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
標準
電流コレクタカットオフ (最大)
標準
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
標準
動作温度
標準
マウンティング類
標準
抵抗-ベース (R1)
標準
抵抗-エミッタベース (R2)
標準
FET 機能
標準
ドレンにソース電圧 (Vdss)
標準
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
標準
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
標準
Vgs (th) (最大) @ Id
標準
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
標準
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
標準
周波数
標準
定格電流 (アンペア)
標準
雑音指数
標準
パワー出力
標準
電圧定格
標準
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
標準
Vgs (最大)
標準
IGBT タイプ
標準
構成
標準
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
標準
入力容量 (Cies) @ Vce
標準
入力
標準
NTC サーミスタ
標準
電圧内訳 (V (BR) GSS)
標準
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
標準
電流ドレイン (Id)-Max
標準
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
標準
抵抗 RDS (On)
標準
電圧
標準
電圧出力
標準
電圧オフセット (Vt)
標準
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
標準
電流谷 (Iv)
標準
電流ピーク
標準
アプリケーション
一般目的

リードタイム

サプライヤーからの製品説明

100 - 999 ピース
JP¥58
1000 - 9999 ピース
JP¥43
>= 10000 ピース
JP¥17

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