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NX3008PBK215トランスMOSFET P-CH 30V 0.23A自動車用3ピンSOT-23 T/RトランジスタMOSFET
レビューはまだありません
キー属性
中核事業の明細
モデル番号
NX3008PBK215
タイプ
Mosfet
銘柄
Original brand
パッケージのタイプ
表面実装
その他の属性
取付タイプ
表面マウント
説明
MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
原産地
Original
パッケージ/ケース
TO-236-3
タイプ
MOSFET
実用温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
シリーズ
自動車
d/c
最新
適用
汎用
サプライヤータイプ
小売店
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
MOSFET
電流コレクタ (Ic) (最大)
230mA (Ta)
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
30 V
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
オリジナル
電流コレクタカットオフ (最大)
230mA (Ta)
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
オリジャンル
電源-Max
230mA (Ta)
周波数遷移
-
動作温度
-55 °C ~ 150 °C(TJ)
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
オリジナル
抵抗-エミッタベース (R2)
オリジナル
FET タイプ
Pチャンネル
FET 機能
MOSFET (金属酸化物)
ドレンにソース電圧 (Vdss)
30 V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
230mA (Ta)
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
4.1Ohm @ 200mA、4.5V
Vgs (th) (最大) @ Id
1.1V @ 250uA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0.72 nC @ 4.5 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
46 pF @ 15 V
定格電流 (アンペア)
オリジナル
パワー出力
420 mW
電圧定格
30V
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
8V
Vgs (最大)
8V
IGBT タイプ
-
構成
オリジナル
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
2.5V 4.5V
入力容量 (Cies) @ Vce
46 pF
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
15V
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1
電流ドレイン (Id)-Max
1
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
2.5V4.5V
抵抗 RDS (On)
-
電圧
30V
電圧出力
4.5V
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
230mA
アプリケーション
一般的な目的
トランジスタタイプ
パワーMOSFET
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
Rdsオンドレイン-ソース抵抗:
4.1オーム
Vgs-ゲートソース電圧:
-8 V、 + 8 V
Vgs th - Gate-Sourceしきい値電圧:
1.25 V
Qgゲートチャージ:
550 pC
Pd-パワー散逸:
420 mW
チャネルモード:
強化
資格:
AEC-Q101
プロセス技術
TMOS
典型的な秋の時間 (ns)
38
包装と配送
ポート
Shenzhen/Hongkong
販売単位：
単一品目
単一のパッケージサイズ：
19X19X10 cm
単一の総重量：
1.000 kg
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 3000 | > 3000 |
| 推定時間（日） | 5 | 交渉による |
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サンプル
最大発注数量： 10 ピース
サンプル価格：
$0.35/ピース
カスタマイズ
カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 3000
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