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NX3008CBKS、115 smd Mosfet Array 30V 350mA、200mA 445mW表面実装トランジスタ6-TSSOP
レビューはまだありません
キー属性
中核事業の明細
モデル番号
NX3008CBKS 115
タイプ
Mosfet
銘柄
Original Brand
パッケージのタイプ
6-TSSOP、SC-88、SOT-363
その他の属性
説明
MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP
原産地
Original
パッケージ/ケース
6-TSSOP、SC-88、SOT-363
シリーズ
FET、MOSFETアレイトランジスタ
d/c
最新
適用
汎用
サプライヤータイプ
小売店
クロスリファレンス
NX3008CBKS 115-ND
メディア利用可能
データシート, 写真, EDA/CAD モデル
品名
トランジスタ
電流コレクタ (Ic) (最大)
350mA、200mA
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
30V
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
オリジナル
電流コレクタカットオフ (最大)
350mA、200mA
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
オリジナル
電源-Max
445mW
周波数遷移
オリジナルスタンダード
動作温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
オリジナルスタンダード
抵抗-エミッタベース (R2)
オリジナルスタンダード
FET タイプ
標準
FET 機能
標準
ドレンにソース電圧 (Vdss)
30V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
350mA、200mA
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
1.4Ohm @ 350mA、4.5V
Vgs (th) (最大) @ Id
1.1V @ 250uA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0.68nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
50pF @ 15V
周波数
オリジナルスタンダード
定格電流 (アンペア)
350mA、200mA
雑音指数
オリジナルスタンダード
パワー出力
445mW
電圧定格
30V
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
30V
Vgs (最大)
1.1V @ 250uA
IGBT タイプ
オリジナル
構成
シングル
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
オリジナルスタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce
オリジナルスタンダード
入力
オリジナルスタンダード
NTC サーミスタ
オリジナルスタンダード
電圧内訳 (V (BR) GSS)
30V
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
オリジナルスタンダード
電流ドレイン (Id)-Max
オリジナルスタンダード
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
オリジナルスタンダード
抵抗 RDS (On)
オリジナルスタンダード
電圧
30V
電圧出力
30V
電圧オフセット (Vt)
30V
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
350mA、200mA
電流谷 (Iv)
350mA、200mA
電流ピーク
350mA、200mA
アプリケーション
一般的な目的
シリーズ
自動車、AEC-Q101、TrenchMOS
テクノロジー
MOSFET (金属酸化物)
設定
NおよびPチャネル
FETの特徴
ロジックレベルゲート
制品カテゴリ
小さい信号
プロセス技術
TMOS
チャンネルモード
強化
RoHSステータス
ROHS3準拠
REACHステータス
影響を受けないリーチ
ECCN
EAR99
包装と配送
販売単位：
単一品目
単一のパッケージサイズ：
19X19X10 cm
単一の総重量：
1.000 kg
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 3000 | > 3000 |
| 推定時間（日） | 15 | 交渉による |
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サンプル
最大発注数量： 10 ピース
サンプル価格：
$6.00/ピース
カスタマイズ
カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 3000
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