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NTS2101PT1GトランスMOSFET P-CH 8V 1.4A 3ピンSC-70 T/R MOSFET -8V -1.4A PチャンネルパワーMOSFET 290mW (Ta)
レビューはまだありません
キー属性
中核事業の明細
モデル番号
NTS2101PT1G
タイプ
Mosfet
銘柄
original brand
パッケージのタイプ
表面実装
その他の属性
取付タイプ
表面マウント
説明
MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
原産地
original
パッケージ/ケース
SC-70 SOT-323
タイプ
Pチャンネル
実用温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
シリーズ
NTS2101P
d/c
最新
適用
汎用
サプライヤータイプ
小売店
クロスリファレンス
2156-NTS2101PT1G-OS
メディア利用可能
データシート, 写真, EDA/CAD モデル
品名
トランジスタ
電流コレクタ (Ic) (最大)
オリジナルと同じ
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
オリジナルスタンダード
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
オリジナルと同じ
電流コレクタカットオフ (最大)
オリジナルスタンダード
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
オリジナルと同じ
電源-Max
290mW(Ta)
周波数遷移
オリジナルスタンダード
動作温度
-- 55 °C ~ 150 °C (TJ)
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
オリジナルと同じ
抵抗-エミッタベース (R2)
オリジナルスタンダード
FET タイプ
Pチャンネル
FET 機能
オリジナルと同じ
ドレンにソース電圧 (Vdss)
8 V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
1.4A(Ta)
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
100mOhm @ 1A 4.5V
Vgs (th) (最大) @ Id
1V @ 250uA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6.4 nC @ 5 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
640 pF @ 8 V
周波数
オリジナルと同じ
定格電流 (アンペア)
オリジナルスタンダード
雑音指数
オリジナルと同じ
パワー出力
290mW (Ta)
電圧定格
オリジナルと同じ
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
1.8V 4.5V
Vgs (最大)
± 8V
IGBT タイプ
オリジナルスタンダード
構成
シングル
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
オリジナルスタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce
オリジナルと同じ
入力
オリジナルスタンダード
NTC サーミスタ
オリジナルと同じ
電圧内訳 (V (BR) GSS)
オリジナルスタンダード
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
オリジナルと同じ
電流ドレイン (Id)-Max
1.4A(Ta)
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
オリジナルと同じ
抵抗 RDS (On)
オリジナルスタンダード
電圧
オリジナルと同じ
電圧出力
オリジナルスタンダード
電圧オフセット (Vt)
オリジナルと同じ
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
オリジナルスタンダード
電流谷 (Iv)
オリジナルと同じ
電流ピーク
オリジナルスタンダード
アプリケーション
一般目的
トランジスタタイプ
1 Pチャネル
SPQ
3k/リール
PCBが変更されました
3
ピン数
3
リード形状
ガルウィング
テクノロジー
MOSFET (金属酸化物)
立ち上がり時間:
15 ns
秋の時間:
18 ns
単位重量:
0.000212オンス
チップあたりの要素数
1
プロセス技術
TMOS
包装と配送
ポート
SHENZHEN/HONGKONG
販売単位：
単一品目
単一のパッケージサイズ：
19X19X10 cm
単一の総重量：
1.000 kg
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 3000 | > 3000 |
| 推定時間（日） | 15 | 交渉による |
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サンプル
最大発注数量： 1 ピース
サンプル価格：
$0.50/ピース
カスタマイズ
カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 3000
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