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MOSFET 4N60 TO-252在庫ありオリジナル

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キー属性

中核事業の明細

モデル番号
4N60
タイプ
MOSFET
銘柄
Standard

その他の属性

取付タイプ
標準
説明
標準
原産地
China
パッケージ/ケース
標準
タイプ
標準
実用温度
標準
シリーズ
標準
d/c
23
適用
標準
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー
メディア利用可能
標準
品名
標準
電流コレクタ (Ic) (最大)
標準
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
標準
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
標準
電流コレクタカットオフ (最大)
標準
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
標準
電源-Max
標準
周波数遷移
標準
動作温度
Standard
マウンティング類
Standard
抵抗-ベース (R1)
標準
抵抗-エミッタベース (R2)
標準
FET タイプ
標準
FET 機能
標準
ドレンにソース電圧 (Vdss)
標準
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
標準
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
標準
Vgs (th) (最大) @ Id
標準
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
標準
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
標準
周波数
標準
定格電流 (アンペア)
標準
雑音指数
標準
パワー出力
標準
電圧定格
標準
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
標準
Vgs (最大)
標準
IGBT タイプ
標準
構成
標準
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
標準
入力容量 (Cies) @ Vce
標準
入力
標準
NTC サーミスタ
標準
電圧内訳 (V (BR) GSS)
標準
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
標準
電流ドレイン (Id)-Max
標準
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
標準
抵抗 RDS (On)
標準
電圧
標準
電圧出力
標準
電圧オフセット (Vt)
標準
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
標準
電流谷 (Iv)
標準
電流ピーク
標準
アプリケーション
標準
トランジスタタイプ
標準

リードタイム

数量 (ピース)1 - 1011 - 100101 - 1000 > 1000
推定時間(日)773交渉による

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