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パワーMOSFET FQD50N06 50アンペア60ボルトN-CHANNEL

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キー属性

中核事業の明細

モデル番号
FQD50N06
タイプ
Mosfet
銘柄
JDP/Original Brand
パッケージのタイプ
SMD

その他の属性

取付タイプ
穴を通して
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
TO-220AB
タイプ
トランジスタ-FET, MOSFET
実用温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
d/c
19 20
適用
その他
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, Odm, 代理店
クロスリファレンス
NPD50N06
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
MOSFET
電流コレクタ (Ic) (最大)
6 A
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
100V
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
1.5 V
電流コレクタカットオフ (最大)
0.7 mA
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
15
電源-Max
65 W
周波数遷移
3 MHz
動作温度
-
マウンティング類
穴を通して
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
-, Nチャンネル
ドレンにソース電圧 (Vdss)
800V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
25A
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
-
Vgs (th) (最大) @ Id
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
周波数
-
定格電流 (アンペア)
200mA
雑音指数
-
パワー出力
250W
電圧定格
40V
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
6V
Vgs (最大)
-
IGBT タイプ
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
パワー
パッケージ
チューブ
FETタイプ
Nチャネル
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
パワー散逸 (マックス)
131W (Tc)
ソース電圧 (Vdss) にドレイン
60V

包装と配送

梱包の詳細
チューブ、トレイ、テープとリール、テープとボックス、バルクパッキング、バッグなどのいずれかのパッキングタイプで梱包されます。
ポート
shenzhen
販売単位:
単一品目
単一のパッケージサイズ:
15X15X5 cm
単一の総重量:
0.500 kg

供給能力

供給能力
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リードタイム

数量 (ピース)1 - 10000 > 10000
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最大発注数量: 10 ピース
サンプル価格:
$1.98/ピース

カスタマイズ

カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 200

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100 - 999 ピース
$0.59
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