ホバーでズームイン
JekingオリジナルTO-264-3 MOSFET 80アンペア250V IXTK80トランジスタIXTK80N25
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
IXTK80N25
タイプ
Igbtトランジスタ
銘柄
original brand
パッケージのタイプ
穿孔
その他の属性
取付タイプ
SMD/SMT
説明
トランジスタ
原産地
California, United States
パッケージ/ケース
TO-247-3
d/c
最新
適用
適用されません
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
MOSFET 80アンペア250V 0.033 Rds
電流コレクタ (Ic) (最大)
-
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
-
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
電流コレクタカットオフ (最大)
-
電源-Max
540 W
周波数遷移
-
動作温度
-55 °C ~ 150 °C
マウンティング類
穴を通して
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
-
FET 機能
-
ドレンにソース電圧 (Vdss)
250 V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
80 A
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
-
Vgs (th) (最大) @ Id
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
-20 V
Vgs (最大)
± 20V
IGBT タイプ
-
構成
シングル
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
-
部品番号
IXTK80N25
サブカテゴリ
MOSFET
立ち上がり時間
25 ns
制品タイプ
MOSFET
秋の時間
24 ns
幅
5.13mm
トランジスタタイプ
1 Nチャネル
包装
チューブ
チャンネルモード
強化
Pd-パワー散逸
540 W
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 推定時間（日） | 5 | 交渉による |
カスタマイズ
カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 99999
カスタマイズの詳細については、 サプライヤーにメッセージを送信
サプライヤーからの製品説明
100 - 499 ピース
$3.90
500 - 999 ピース
$3.60
>= 1000 ピース
$3.50
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