ホバーでズームイン
IRFR15N20DトランジスタMOSFET IRFR15N20DTRPBF TO-252 MOSFET N-CH 200V 17A 140W DPAK NチャンネルパワーMOSFET新しいオリジナルIC
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
IRFR15N20DTRPBF
タイプ
トランジスタ
銘柄
Si Ta&SH
パッケージのタイプ
基準
その他の属性
取付タイプ
基準, 基準
説明
基準
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
TO-252
タイプ
マイクロコントローラ
実用温度
基準, 基準
シリーズ
基準
d/c
基準
適用
基準
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー
クロスリファレンス
基準
メディア利用可能
その他
品名
基準
電流コレクタ (Ic) (最大)
基準
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
基準
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
基準
電流コレクタカットオフ (最大)
基準
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
基準
電源-Max
基準
周波数遷移
基準
動作温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
マウンティング類
穴を通して
抵抗-ベース (R1)
基準
抵抗-エミッタベース (R2)
基準
FET タイプ
基準
FET 機能
基準
ドレンにソース電圧 (Vdss)
基準
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
基準
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
基準
Vgs (th) (最大) @ Id
基準
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
基準
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
基準
周波数
基準
定格電流 (アンペア)
基準
雑音指数
基準
パワー出力
基準
電圧定格
基準
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
基準
Vgs (最大)
基準
IGBT タイプ
基準
構成
基準
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
基準
入力容量 (Cies) @ Vce
基準
入力
基準
NTC サーミスタ
基準
電圧内訳 (V (BR) GSS)
基準
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
基準
電流ドレイン (Id)-Max
基準
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
基準
抵抗 RDS (On)
基準
電圧
基準
電圧出力
基準
電圧オフセット (Vt)
基準
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
基準
電流谷 (Iv)
基準
電流ピーク
基準
アプリケーション
基準
トランジスタタイプ
基準
包装と配送
販売単位：
単一品目
単一のパッケージサイズ：
2X2X2 cm
単一の総重量：
0.001 kg
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 30000 | 30001 - 50000 | > 50000 |
| 推定時間（日） | 3 | 5 | 交渉による |
カスタマイズ
Original packing
最低 注文: 1000
カスタマイズの詳細については、 サプライヤーにメッセージを送信
サプライヤーからの製品説明
10 - 99 ピース
₹245.31
100 - 999 ピース
₹132.42
>= 1000 ピース
₹80.64
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