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MOSFET IRF540NSTRLPBF IRF540NS SMD TO-263 Nチャンネル

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キー属性

中核事業の明細

モデル番号
IRF540NS
タイプ
トランジスタ
パッケージのタイプ
表面実装

その他の属性

取付タイプ
-, 穴を通して
説明
MOSFET, お問い合わせください
原産地
Guangdong, China
d/c
22
適用
汎用
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, Odm
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
IRF540NS
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
-
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
動作温度
150 °C (TJ)
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET 機能
-
ドレンにソース電圧 (Vdss)
-
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
-
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
-
Vgs (th) (最大) @ Id
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
-
Vgs (最大)
-
IGBT タイプ
/
構成
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
-
カテゴリ
MOSFET
パッケージ
チューブ
詳細な説明
MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
価格
お問い合わせください
コレクター-エミッタ電圧VCEO Max
650 V
保証
1年
リードタイム
1-3日
パッキング
リール、チューブ、カットテープ、トレイ、バッグ
メーカー制品番号
IRF540NSTRLPBF

包装と配送

梱包の詳細
お問い合わせください
ポート
shenzhen
販売単位:
単一品目
単一のパッケージサイズ:
15X15X15 cm
単一の総重量:
1.000 kg

リードタイム

数量 (ピース)1 - 100 > 100
推定時間(日)3交渉による

カスタマイズ

カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 1000000

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