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IC MOSFET J380 P-CH 100V 12A TO220NIS 2SJ380(F)

レビューはまだありません

キー属性

中核事業の明細

モデル番号
2SJ380(F)
タイプ
Mosfet
銘柄
original brand
パッケージのタイプ
穿孔

その他の属性

取付タイプ
SMD/SMT, Through Hole
説明
STANDARD, MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack
タイプ
RF TRANSISTOR
実用温度
150°C (TJ)
シリーズ
Original standard
d/c
-
適用
-
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, Odm, 代理店, 小売店
クロスリファレンス
-
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
2SJ380(F)
電流コレクタ (Ic) (最大)
-
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
-
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
電流コレクタカットオフ (最大)
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
電源-Max
-
周波数遷移
-
動作温度
- 55C to +150C
マウンティング類
穴を通して
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
P-Channel
FET 機能
-
ドレンにソース電圧 (Vdss)
100V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
12A (Ta)
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
210mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (最大) @ Id
2V @ 1mA, 2V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
48nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1100pF @ 10V
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
4V, 10V
Vgs (最大)
±20V
IGBT タイプ
-
構成
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
-
トランジスタタイプ
Original standard
Part Number
2SJ380(F)
Drain to Source Voltage
100V
Current @ 25°C
12A (Ta)
Gate Charge @ Vgs
48nC @ 10V
Input Capacitance @ Vds
2V @ 1mA
Power Dissipation (Max)
35W (Tc)
Supplier Device Package
TO-220NIS

リードタイム

数量 (ピース)1 - 1000 > 1000
推定時間(日)5交渉による

カスタマイズ

カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 99999

サプライヤーからの製品説明

100 - 499 ピース
$0.99
500 - 999 ピース
$0.85
>= 1000 ピース
$0.79

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