ハイパワーLDMOSRFパワートランジスタMRF6VP11KH

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Richen Technology Shanghai Co., Ltd.10 yrs

ホバーでズームイン

キー属性

中核事業の明細

モデル番号

MRF6VP11KH

タイプ

Transistor

銘柄

original

パッケージのタイプ

Through Hole

その他の属性

説明

standard

原産地

China

パッケージ/ケース

standard

d/c

Newest

適用

汎用

サプライヤータイプ

小売店

メディア利用可能

データシート

品名

MRF6VP11KH

電流コレクタ (Ic) (最大)

1.8-150 MHz

電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)

110V

Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic

standard

電流コレクタカットオフ (最大)

5mA

電源-Max

1000 W

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

マウンティング類

表面実装

抵抗-ベース (R1)

standard

抵抗-エミッタベース (R2)

standard

ドレンにソース電圧 (Vdss)

50v

電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C

5mA

Rds (最大) @ Id 、 Vgs

1.8-150 MHz, 1000 W, 50 V

Vgs (th) (最大) @ Id

110v

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

standard

定格電流 (アンペア)

5mA

雑音指数

standard

パワー出力

1000w

電圧定格

110

ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)

110

IGBT タイプ

standard

NTC サーミスタ

standard

電圧内訳 (V (BR) GSS)

standard

電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

standard

抵抗 RDS (On)

standard

電圧

standardstandard

電圧出力

standard

電圧オフセット (Vt)

standard

電流ゲートアノードに漏れ (Igao)

standard

電流谷 (Iv)

standard

電流ピーク

standard

アプリケーション

standard

包装と配送

梱包の詳細

カートン梱包SVB-T0ロードスイッチ分離スイッチセンサーあたり

ポート

Shanghai

供給能力

600 pcs per Week

サプライヤーからの製品説明

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$35.00

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