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電子部品トランジスタMOSFET 900V N-CH HEXFET D2-PA IRFBF20SPBF
レビューはまだありません
キー属性
中核事業の明細
モデル番号
IRFBF20SPBF
タイプ
Mosfet
銘柄
original
パッケージのタイプ
表面実装
その他の属性
取付タイプ
表面マウント
説明
MOSFET
原産地
original
パッケージ/ケース
TO-263-3
タイプ
MOSFET
実用温度
-55 C ~ + 150 C
シリーズ
IRFBF
d/c
最新
適用
汎用
マウンティング類
表面実装
ドレンにソース電圧 (Vdss)
900 V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
1.7 A
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
8オーム
Vgs (th) (最大) @ Id
2 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
38 nC
パワー出力
54 W
構成
シングル
トランジスタタイプ
1 Nチャネル
制品タイプ
MOSFET
条件
オリジナル100%
配送
DHL \ UPS \ フェデックス \ EMS \ TNT \ Aramex
リードタイム
1-3仕事日
スカイプ
ライブ: walton-sale2
包装と配送
販売単位：
単一品目
単一のパッケージサイズ：
1X1X1 cm
単一の総重量：
1.000 kg
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 推定時間（日） | 1 | 交渉による |
サプライヤーからの製品説明
10 - 99 ピース
RUB 79.93
100 - 999 ピース
RUB 69.94
>= 1000 ピース
RUB 59.95
Membership benefits
3 日間のクーポンプレゼント：最大 US $80 オフさらに表示
この製品への保護
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