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EC-Mart FB38N20D TO-220-3 MOSFETトランジスタIRFB38N20DPBF

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キー属性

中核事業の明細

モデル番号
IRFB38N20DPBF
タイプ
Mosfet
銘柄
original
パッケージのタイプ
穿孔

その他の属性

取付タイプ
TO-220-3
説明
MOSFETs
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
smd
タイプ
MOSFET
シリーズ
IRFB38N20DPBF
d/c
new
品名
IRFB38N20DPBF
電流コレクタ (Ic) (最大)
-
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
--
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
電流コレクタカットオフ (最大)
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
電源-Max
-
周波数遷移
-
動作温度
-
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
--
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
-
FET 機能
--
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
-
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
-
Vgs (th) (最大) @ Id
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
--
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
--
IGBT タイプ
-
構成
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
-
Transistor Polarity
N-Channel
Number of Channels
1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
44 A
Rds On - Drain-Source Resistance
54 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.8 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Pd - Power Dissipation
3.8 W

包装と配送

梱包の詳細
Esd/vacuum/foam/カートン
ポート
Shenzhen / Hongkong

供給能力

供給能力
999999 pcs per Day

リードタイム

数量 (ピース)1 - 999999 > 999999
推定時間(日)1交渉による

カスタマイズ

カスタマイズされたパッケージ
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