ホバーでズームイン
CXCWオリジナルトランジスタIRFB4227PBF IRFB4227MOS電界効果トランジスタ集積回路
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
IRFB4227PBF
タイプ
Mosfet
銘柄
CXCW
パッケージのタイプ
表面実装
その他の属性
取付タイプ
MOS Field-effect transistor
説明
MOS Field-effect transistor
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
TO-220
d/c
Standard
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー
メディア利用可能
データシート, 写真, EDA/CAD モデル, Other
品名
Transistor
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
Standard
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
Standard
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
Standard
動作温度
Standard
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
Standard
抵抗-エミッタベース (R2)
Standard
ドレンにソース電圧 (Vdss)
Standard
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
Standard
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
Standard
Vgs (th) (最大) @ Id
Standard
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
Standard
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
Standard
周波数
Standard
定格電流 (アンペア)
Standard
雑音指数
Standard
パワー出力
Standard
電圧定格
Standard
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
Standard
Vgs (最大)
Standard
IGBT タイプ
Standard
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
Standard
入力容量 (Cies) @ Vce
Standard
入力
Standard
NTC サーミスタ
Standard
電圧内訳 (V (BR) GSS)
Standard
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
電流ドレイン (Id)-Max
Standard
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
Standard
抵抗 RDS (On)
Standard
電圧
Standard
電圧出力
Standard
電圧オフセット (Vt)
Standard
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
Standard
電流谷 (Iv)
Standard
電流ピーク
Standard
トランジスタタイプ
MOSFET transistor
Warranty
30~90 Days
Brand
Orignal Brand
包装と配送
梱包の詳細
リール/チューブ
販売単位：
単一品目
単一のパッケージサイズ：
1X1X1 cm
単一の総重量：
0.500 kg
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 30000 | 30001 - 300000 | 300001 - 900000 | > 900000 |
| 推定時間（日） | 3 | 5 | 7 | 交渉による |
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サンプル価格：
$10.00/ピース
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