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CSD85301Q2T CSD85301Q2T WSON-FET-6 MOSFETダイオード三極管トランジスタ

レビューはまだありません

キー属性

中核事業の明細

モデル番号
CSD85301Q2T
タイプ
Mosfet
銘柄
YMX
パッケージのタイプ
表面実装

その他の属性

原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
1
適用
マイクロフォン
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, 代理店, 小売店, Other
メディア利用可能
データシート, 写真, EDA/CAD モデル, Other
品名
MOS
電流コレクタ (Ic) (最大)
1
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
1
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
1
電流コレクタカットオフ (最大)
1
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
1
電源-Max
1
周波数遷移
1
抵抗-ベース (R1)
1
抵抗-エミッタベース (R2)
1
FET タイプ
1
FET 機能
シリコンカーバイド (SiC)
ドレンにソース電圧 (Vdss)
1
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
1
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
1
Vgs (th) (最大) @ Id
1
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
1
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1
周波数
1
定格電流 (アンペア)
1
雑音指数
1
パワー出力
1
電圧定格
1
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
1
Vgs (最大)
1
IGBT タイプ
1
構成
シングル
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
1
入力容量 (Cies) @ Vce
1
入力
1
NTC サーミスタ
1
電圧内訳 (V (BR) GSS)
1
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1
電流ドレイン (Id)-Max
1
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
1
抵抗 RDS (On)
1
電圧
1
電圧出力
1
電圧オフセット (Vt)
1
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
1
電流谷 (Iv)
1
電流ピーク
1
アプリケーション
1

包装と配送

販売単位:
単一品目
単一のパッケージサイズ:
0.01X0.01X0.01 cm
単一の総重量:
0.001 kg

リードタイム

数量 (パック)1 - 10001001 - 100000100001 - 10000000 > 10000000
推定時間(日)357交渉による

カスタマイズ

カスタマイズされたロゴ
最低 注文: 1000000
カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 1000000
グラフィックのカスタマイズ
最低 注文: 1000000

サプライヤーからの製品説明

99999 - 499999 パック
€0.4761
500000 - 799999 パック
€0.4667
800000 - 999999 パック
€0.4574
>= 1000000 パック
€0.4201

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