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CRMICROブランドMOSFET N-CHANNEL CS4N60FA9R TO-220F 600V 4A 4N60
レビューはまだありません
キー属性
中核事業の明細
モデル番号
CS4N60FA9R
タイプ
Mosfet
銘柄
CRMICRO
パッケージのタイプ
穿孔
その他の属性
取付タイプ
TO-220F
説明
N-CH MOSFET
原産地
China
パッケージ/ケース
TO-220F
タイプ
MOSFET
実用温度
-55 °C ~ 150 °C
d/c
2024年
適用
Mosfet ドライバ
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
MOSFET N-CH
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
600V
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
電流コレクタカットオフ (最大)
2.5A ~ 4A
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
動作温度
-55°C~150°C
マウンティング類
穴を通して
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET 機能
-
ドレンにソース電圧 (Vdss)
-
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
-
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
-
Vgs (th) (最大) @ Id
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
-
Vgs (最大)
-
IGBT タイプ
-
構成
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
-
トランジスタタイプ
MOSFET
包装と配送
梱包の詳細
サービス品質すべての優先サービス
供給能力
供給能力
99999 pcs per Day
リードタイム
カスタマイズ
サプライヤーからの製品説明
>= 50 ピース
$0.15
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