ホバーでズームイン
COPOER新しいオリジナルBUK7Y4R8-60E BUK7Y4R8 60E BUK7Y4R8-60EX 74E860 ICチップパワーMosfet N-CH 60V 100A SMD LFPAK56MOSトランジスタ
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
BUK7Y4R8-60E
タイプ
POWER MOSFET
銘柄
COPOER
パッケージのタイプ
穿孔
その他の属性
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
SC-100, SOT-669
d/c
New
適用
Mosfet ドライバ
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, Odm, 代理店, 小売店
クロスリファレンス
-
メディア利用可能
データシート
品名
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
電流コレクタ (Ic) (最大)
38A
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
200V
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
電流コレクタカットオフ (最大)
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
電源-Max
310W
周波数遷移
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
N-Channel
FET 機能
-
ドレンにソース電圧 (Vdss)
60V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
4.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (最大) @ Id
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
73.1nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5520pF @ 25V
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
10V
Vgs (最大)
±20V
IGBT タイプ
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
--
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
-
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供給能力
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