900V 4A MOSFET NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFETトランジスタTO-220パッケージ電子ランプバラスト用
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
AKT4N90TC2
タイプ
Mosfet
銘柄
AIKO
パッケージのタイプ
穿孔
その他の属性
取付タイプ
穴を通して
説明
低いオン抵抗, 100% 雪崩テスト, 高いEASとの良好な安定性と均一性, 高いESD能力のための特別なプロセス技術
原産地
Zhejiang, China
パッケージ/ケース
TO-220
タイプ
MOSFETトランジスタ
実用温度
-55 ℃ ~ + 150 ℃
シリーズ
MOSFET
適用
电子ランプバラスト
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, Odm
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
AKT4N90TC2 900V 4A NチャネルパワーMOSFET
電流コレクタ (Ic) (最大)
4A(TC = 25 ℃), 2.3A(TC = 100 ℃)
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
900V
電流コレクタカットオフ (最大)
16A
電源-Max
147W
動作温度
-55 °C ~ 150 °C
マウンティング類
穴を通して
ドレンにソース電圧 (Vdss)
900V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
4A
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
3オーム
Vgs (th) (最大) @ Id
5V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
19nC
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
820pF
定格電流 (アンペア)
4A
電圧定格
900V
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
3-5V
Vgs (最大)
930V
構成
シングル
電圧内訳 (V (BR) GSS)
900V
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
10uA
電流ドレイン (Id)-Max
4A
抵抗 RDS (On)
2.3オーム
電圧
900V
電圧オフセット (Vt)
± 30V
電流谷 (Iv)
2.3A
電流ピーク
4A
アプリケーション
スイッチモード電源
トランジスタタイプ
MOSFETトランジスタ, Nチャネル, 強化モード
VDSS
900V
VGSS
± 30V
ドレイン電流 (TC = 25 ℃)
4A
ドレイン電流 (TC = 100 ℃)
2.3A
シングルパルス雪崩エネルギー
900mJ
最大パワー散逸 (TC = 25 ℃)
147W
ターンオフ遅延時間
46ns
総ゲートチャージ
19nC
アプリケーション1
スイッチモード電源
アプリケーション2
アクティブパワーファクター補正、電子バラスト
包装と配送
販売単位：
単一品目
単一のパッケージサイズ：
1X3X5 cm
単一の総重量：
0.006 kg
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 50000 | 50001 - 100000000 | > 100000000 |
| 推定時間（日） | 20 | 30 | 交渉による |
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サンプル
最大発注数量： 10 ピース
サンプル価格：
元 7.25/ピース
カスタマイズ
Customized logo
最低 注文: 100000
Customized packaging
最低 注文: 100000
Graphic customization
最低 注文: 100000
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サプライヤーからの製品説明
50000 - 99999999 ピース
元 1.45
>= 100000000 ピース
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