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      マイクロLED用8インチ6インチAlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer

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      Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.3 yrsCN

      キー属性

      その他の属性

      原産地
      Shanghai, China
      銘柄
      XINKEHUI
      モデル番号
      Barrier AlGaN or AlN or InAlN
      タイプ
      エピタキシャルウエハ
      厚さ
      半標準
      Moq
      2個
      アプリケーション
      粉末デバイス
      グレード
      プライム
      製品名
      層si基板
      認証
      Rohs
      表面
      Ssp
      Diamater
      6インチまたは8インチ
      基板
      Siまたはsic
      出荷期間
      Fob

      包装と配送

      梱包の詳細
      single wafer case by vacuum package
      ポート
      Shanghai port

      供給能力

      供給能力
      100 pcs per Month
      もっと見る

      リードタイム

      数量 (ピース)1 - 10 > 10
      推定時間（日）14交渉による

      カスタマイズ

      カスタマイズされたロゴ
      最低 注文: 1000
      カスタマイズされたパッケージ
      最低 注文: 1000
      グラフィックのカスタマイズ
      最低 注文: 1000
      カスタマイズの詳細については、 サプライヤーにメッセージを送信

      サプライヤーからの製品説明

      10 - 99 ピース
      JP¥126,259
      >= 100 ピース
      JP¥78,912

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