ホバーでズームイン
8N150 IXTK8N150L MOSFETトランジスタNチャネル1500V8A (Tc) 700W (Tc) DIP TO-264 IXTK8N150L
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
IXTK8N150L
タイプ
MOSFET
銘柄
Original
パッケージのタイプ
穴を通して
その他の属性
取付タイプ
穴を通して
説明
オリジナルトランジスタ
原産地
China
パッケージ/ケース
TO-264-3 TO-264AA
d/c
新しい
適用
Mosfetトランジスタ
メディア利用可能
データシート
品名
IXTK8N150L
電源-Max
700W (Tc)
動作温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
マウンティング類
穴を通して
FET タイプ
Nチャネル
FET 機能
-
ドレンにソース電圧 (Vdss)
1500 V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
3.6Ohm @ 4A、20V
Vgs (th) (最大) @ Id
8V @ 250uA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
250 nC @ 15 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
8000 pF @ 25 V
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
20V
Vgs (最大)
± 30V
アプリケーション
-
ブランド
オリジナル
ストッキング時間
3-5day
配送先住所
深セン
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 推定時間（日） | 3 | 交渉による |
