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60T65IGBTトランジスタシングルDIP 60T65PES MBQ60T65PES FGH60T65SQD-F155

レビューはまだありません
Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.カスタムメーカー3 yrsCN

キー属性

中核事業の明細

モデル番号
60T65
タイプ
Igbtトランジスタ
銘柄
Original
パッケージのタイプ
DIP

その他の属性

取付タイプ
Through Hole
説明
IGBT Transistor Single DIP
原産地
China
パッケージ/ケース
TO-247-3
d/c
New
適用
IGBT Transistor
クロスリファレンス
MBQ60T65PES, FGY160T65SPD-F085, FGH60T65SQD-F155, FGH60T65SHD-F155, AFGY160T65SPD-B4
品名
FGH60T65SQD-F155
電流コレクタ (Ic) (最大)
120A
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
650V
電流コレクタカットオフ (最大)
240A
電源-Max
333W
周波数遷移
227uJ (on)
動作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
マウンティング類
穴を通して
IGBT タイプ
Trench Field Stop
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
2.1V @ 15V, 60A
入力
Standard
Switching Energy
227uJ (on), 100uJ (off)
Gate Charge
79 nC
Td (on/off) @ 25℃
20.8ns/102ns
Test Condition
400V, 15A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
34.6 ns

包装と配送

梱包の詳細
チューブ、トレイ、テープとリール、テープとボックス、バルクパッキング、バッグなどのいずれかのパッキングタイプで梱包されます。詳細についてはお問い合わせください。

リードタイム

数量 (ピース)1 - 10000 > 10000
推定時間(日)3交渉による

カスタマイズ

PCBA
最低 注文: 1
SMT
最低 注文: 1

サプライヤーからの製品説明

>= 1 ピース
$7.10

バリエーション

合計オプション数:

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