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60A 120V NチャネルパワーMOSFETトランジスタDFN5X6パッケージリードおよびハロゲンフリー電気通信および産業用DC/DC用

レビューはまだありません

キー属性

中核事業の明細

モデル番号
AKQN007N12
タイプ
Mosfet
銘柄
AIKO
パッケージのタイプ
表面実装

その他の属性

取付タイプ
表面マウント
説明
高速パワースイッチングとロジックレベル, 100% UISテスト済みおよび100% Rgテスト済み, 強化された雪崩の頑丈さ, 高められたボディダイオードdv/dtの機能, リードフリーとハロゲンフリー
原産地
Zhejiang, China
パッケージ/ケース
DFN5X6
タイプ
MOSFETトランジスタ
実用温度
-55 ℃ ~ + 150 ℃
シリーズ
MOSFET
適用
ハードスイッチングと高速回路
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, Odm
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
AKQN007N12 120V 60A NチャネルパワーMOSFET
電流コレクタ (Ic) (最大)
60A(TC = 25 ℃), 95A(TC = 100 ℃)
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
120V
電流コレクタカットオフ (最大)
320A
電源-Max
114W
動作温度
-55 °C ~ 150 °C
マウンティング類
表面実装
ドレンにソース電圧 (Vdss)
120V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
95A
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
10ミリオーム
Vgs (th) (最大) @ Id
2.4V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
45nC
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3510pF
定格電流 (アンペア)
60A
電圧定格
120V
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
1.4-2.4V
Vgs (最大)
120V
構成
シングル
入力容量 (Cies) @ Vce
3510pF
電圧内訳 (V (BR) GSS)
120V
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1-100uA
電流ドレイン (Id)-Max
95A
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
10V
抵抗 RDS (On)
7.5ミリオーム
電圧出力
120V
電圧オフセット (Vt)
± 20V
電流谷 (Iv)
60A
電流ピーク
94.7A
アプリケーション
電気通信および同期整流におけるDC/DC
トランジスタタイプ
MOSFETトランジスタ, Nチャネル, 強化モード
VDSS
120V
VGSS
± 20V
ドレイン電流 (TC = 25 ℃)
94.7A
ドレイン電流 (TC = 100 ℃)
60A
シングルパルス雪崩エネルギー
500mJ
最大パワー散逸 (TC = 25 ℃)
114W
ターンオフ遅延時間
30ns
総ゲートチャージ
45nC
アプリケーション1
SMPSでの同期整流
アプリケーション2
ハードスイッチングと高速回路

リードタイム

数量 (ピース)1 - 5000050001 - 100000000 > 100000000
推定時間(日)2030交渉による

カスタマイズ

カスタマイズされたロゴ
最低 注文: 100000
カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 100000
グラフィックのカスタマイズ
最低 注文: 100000

サプライヤーからの製品説明

50000 - 99999999 ピース
JP¥32
>= 100000000 ピース
JP¥8

バリエーション

合計オプション数:

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