ホバーでズームイン
4N65 Nチャンネル650V 4.5A TO-220FパワーMOSFETオリジナルsmdトランジスターhualichip集積回路ic mos 4N65
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
4N65 TO220F
タイプ
Mosfet
銘柄
4N65 TO220F
パッケージのタイプ
表面実装
その他の属性
原産地
China,TaiWan
パッケージ/ケース
TO-220F
d/c
22 +
適用
電源
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, 代理店
クロスリファレンス
4N65 TO220F
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
Mosfet
電流コレクタ (Ic) (最大)
標準
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
標準
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
標準
電流コレクタカットオフ (最大)
標準
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
標準
電源-Max
標準
周波数遷移
標準
動作温度
-55 °C〜175 °C (tj)
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
標準
抵抗-エミッタベース (R2)
標準
FET タイプ
Nチャネル
FET 機能
標準
ドレンにソース電圧 (Vdss)
650v
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
4.5A
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
標準
Vgs (th) (最大) @ Id
標準
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
標準
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
標準
周波数
標準
定格電流 (アンペア)
標準
雑音指数
標準
パワー出力
標準
電圧定格
標準
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
標準
Vgs (最大)
標準
IGBT タイプ
標準
構成
シングル
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
標準
入力容量 (Cies) @ Vce
標準
入力
標準
NTC サーミスタ
標準
電圧内訳 (V (BR) GSS)
標準
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
標準
電流ドレイン (Id)-Max
標準
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
標準
抵抗 RDS (On)
標準
電圧
標準
電圧出力
標準
電圧オフセット (Vt)
標準
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
標準
電流谷 (Iv)
標準
電流ピーク
標準
アプリケーション
電源
部品番号
4N65 TO220F
包装
チューブパック
説明
TO-220F mosfet
属性
Rohs
可用性
在庫
Dc
新オリジナル
カテゴリ
Mosfet
包装と配送
ポート
shenzhen
販売単位：
単一品目
単一のパッケージサイズ：
37X21X10 cm
単一の総重量：
0.079 kg
リードタイム
| 数量 (組) | 1 - 5 | > 5 |
| 推定時間（日） | 5 | 交渉による |
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サンプル
最大発注数量： 10 組
サンプル価格：
元 14.50/組
カスタマイズ
カスタマイズされたパッケージ
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1 - 9 組
元 1.45
10 - 49 組
元 1.38
50 - 999 組
元 1.31
>= 1000 組
元 1.24
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