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4N60 TO220Nチャネル650V4.5AパワーMOSFETオリジナルSmdトランジスタHualichip集積回路Ic Mos 4N60 TO220 4n60 Mosfet
レビューはまだありません
キー属性
中核事業の明細
モデル番号
4N60 TO220
タイプ
Mosfet
銘柄
original
パッケージのタイプ
表面実装
その他の属性
説明
標準
原産地
China
パッケージ/ケース
に220
d/c
22 +
サプライヤータイプ
代理店, オリジナルメーカー
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
Mosfet
電流コレクタ (Ic) (最大)
標準
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
標準
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
標準
電流コレクタカットオフ (最大)
標準
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
標準
電源-Max
標準
周波数遷移
標準
動作温度
-55 °C〜175 °C (tj)
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
標準
抵抗-エミッタベース (R2)
標準
FET タイプ
Nチャネル
FET 機能
標準
ドレンにソース電圧 (Vdss)
650v
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
4.5A
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
標準
Vgs (th) (最大) @ Id
標準
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
標準
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
標準
周波数
標準
定格電流 (アンペア)
標準
雑音指数
標準
パワー出力
標準
電圧定格
標準
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
標準
Vgs (最大)
標準
IGBT タイプ
標準
構成
シングル
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
標準
入力容量 (Cies) @ Vce
標準
入力
標準
NTC サーミスタ
標準
電圧内訳 (V (BR) GSS)
標準
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
標準
電流ドレイン (Id)-Max
標準
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
標準
抵抗 RDS (On)
標準
電圧
標準
電圧出力
標準
電圧オフセット (Vt)
標準
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
標準
電流谷 (Iv)
標準
電流ピーク
標準
アプリケーション
電源
包装と配送
梱包の詳細
40n60の梱包: 箱に1000個入り、サイズは56*14 * 4cmです。
サイズ57*5000*23.5 cmのカートンに16.5個入り。チューブに20個または30個
サイズ57*5000*23.5 cmのカートンに16.5個入り。チューブに20個または30個
供給能力
供給能力
50000 pcs per Week
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 30000 | 30001 - 50000 | > 50000 |
| 推定時間（日） | 3 | 5 | 交渉による |
サプライヤーからの製品説明
最低発注数量： 10 ピース
$0.15 - $9.56Membership benefits
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この製品への保護
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