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2N7002トランジスタシングルFET MOSFET 60 V 115mA 200mWオリジナル高品質2N7002

レビューはまだありません
Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.カスタムメーカー4 yrsCN

キー属性

中核事業の明細

モデル番号
2N7002
タイプ
Mosfet
銘柄
original
パッケージのタイプ
表面実装

その他の属性

取付タイプ
Surface Mount
説明
MOSFET N-CHANNEL 60V 115MA SOT23
原産地
California, United States
パッケージ/ケース
SOT-23-3
タイプ
N/A
実用温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
シリーズ
N/A
d/c
new
適用
N/A
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー
クロスリファレンス
N/A
メディア利用可能
データシート
品名
N/A
電流コレクタ (Ic) (最大)
N/A
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
N/A
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
N/A
電流コレクタカットオフ (最大)
N/A
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
N/A
電源-Max
200mW
周波数遷移
N/A
動作温度
N/A
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
N/A
抵抗-エミッタベース (R2)
N/A
FET タイプ
N/A
FET 機能
N/A
ドレンにソース電圧 (Vdss)
N/A
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
N/A
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
N/A
Vgs (th) (最大) @ Id
N/A
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
N/A
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
N/A
周波数
N/A
定格電流 (アンペア)
N/A
雑音指数
N/A
パワー出力
N/A
電圧定格
N/A
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
N/A
Vgs (最大)
N/A
IGBT タイプ
N/A
構成
N/A
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
N/A
入力容量 (Cies) @ Vce
N/A
入力
N/A
NTC サーミスタ
N/A
電圧内訳 (V (BR) GSS)
N/A
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
N/A
電流ドレイン (Id)-Max
N/A
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
N/A
抵抗 RDS (On)
N/A
電圧
N/A
電圧出力
N/A
電圧オフセット (Vt)
N/A
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
N/A
電流谷 (Iv)
N/A
電流ピーク
N/A
アプリケーション
N/A
トランジスタタイプ
N/A
Brand
Original
Stocking time
3-5day
delivery address
shenzhen

包装と配送

梱包の詳細
New and Original, factory sealed packing, it will be pack in one of these packing type: Tube, Tray, Tape and Reel, Tape and Box, Bulk packing, Bag and etc. Please kindly contact us for more details.
ポート
shenzhen

供給能力

供給能力
1000 pcs per Week

リードタイム

数量 (ピース)1 - 1000 > 1000
推定時間(日)3交渉による

カスタマイズ

pcba
最低 注文: 1

サプライヤーからの製品説明

>= 1 ピース
$0.18

バリエーション

合計オプション数:

送料

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