ホバーでズームイン
トランジスタ2N30553055 To-3ハイパワーアンプインバータトランジスタ2N3055
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
2N3055
タイプ
Transistor
銘柄
Original
パッケージのタイプ
To-3
その他の属性
原産地
Afghanistan
パッケージ/ケース
standard
d/c
Newest
適用
standard
品名
high power amplifier inverter transistor 2N3055
電流コレクタ (Ic) (最大)
standard
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
standard
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
standard
電流コレクタカットオフ (最大)
standard
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
standard
電源-Max
standard
周波数遷移
standard
動作温度
standard
マウンティング類
standard
抵抗-ベース (R1)
standard
抵抗-エミッタベース (R2)
standard
FET タイプ
standard
FET 機能
standard
ドレンにソース電圧 (Vdss)
standard
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
standard
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
standard
Vgs (th) (最大) @ Id
standard
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
standard
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
standard
周波数
standard
定格電流 (アンペア)
standard
雑音指数
standard
パワー出力
standard
電圧定格
standard
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
standard
Vgs (最大)
standard
IGBT タイプ
standard
構成
standard
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
standard
入力容量 (Cies) @ Vce
standard
入力
standard
NTC サーミスタ
standard
電圧内訳 (V (BR) GSS)
standard
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
standard
電流ドレイン (Id)-Max
standard
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
standard
抵抗 RDS (On)
standard
電圧
standard
電圧出力
standard
電圧オフセット (Vt)
standard
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
standard
電流谷 (Iv)
standard
電流ピーク
standard
アプリケーション
standard
Type
2N3055
Part Number
2N3055
D/C
Standard
Package
Standard
Details
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Temperature
Standard
Quality
New and original
Shipping by
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Description
IC Diode Transistor Capacitor
Application
Electronic Products
包装と配送
梱包の詳細
STANDARD PACKAGE
ポート
Shenzhen / Hong Kong
供給能力
供給能力
500 pcs per Day
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 推定時間（日） | 5 | 交渉による |
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