ホバーでズームイン
25T60 SIGC25T60 IGBT Transistor Single 30A 600V SMD Die SIGC25T60NCX7SA1 SIGC25T60UNX1SA1
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
SIGC25T60NCX7SA1
タイプ
Igbtトランジスタ
銘柄
Original
パッケージのタイプ
Other
その他の属性
説明
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
原産地
China
パッケージ/ケース
Die
d/c
New
クロスリファレンス
SIGC25T60SNCX1SA1, SIGC25T60NCX7SA1, SIGC25T60UNX1SA1, SIGC25T60UNX7SA1, SIGC25T60NCX1SA7, SIGC25T60NCX1SA6, SIGC25T60NCX1SA4, SIGC25T60UNX7SA2, SIGC25T60UNX1SA3, SIGC25T60SNCX7SA1, SIGC25T60UNX1SA2, SIGC25T60NCX7SA2, SIGC25T60NCX1SA2, SIGC25T60NCX1SA5, SIGC25T60SNCX1SA2
品名
SIGC25T60NCX7SA1
電流コレクタ (Ic) (最大)
30A
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
600V
電流コレクタカットオフ (最大)
90A
電源-Max
-
周波数遷移
-
動作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
マウンティング類
表面実装
IGBT タイプ
NPT
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
2.5V @ 15V, 30A
入力
Standard
brand
100% new and orignal
quality guarantee
test report available
包装と配送
ポート
Shenzhen
供給能力
供給能力
10000 pcs per Day
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 1 | 2 - 10000 | > 10000 |
| 推定時間（日） | 3 | 7 | 交渉による |
カスタマイズ
original
最低 注文: 1
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