ホバーでズームイン
G30N60 Mosfet TO-263 IGB30N60T新品オリジナル在庫あり
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
IGB30N60T
タイプ
Standard
銘柄
Original
パッケージのタイプ
TO-263
その他の属性
原産地
Malaysia
パッケージ/ケース
Standard
d/c
Standard
適用
Standard
サプライヤータイプ
Other
クロスリファレンス
Standard
メディア利用可能
データシート
品名
Transistor,Mosfet, IGBT
電流コレクタ (Ic) (最大)
Standard
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
Standard
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
Standard
電流コレクタカットオフ (最大)
Standard
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
Standard
電源-Max
Standard
周波数遷移
Standard
動作温度
Standard
マウンティング類
Standard
抵抗-ベース (R1)
Standard
抵抗-エミッタベース (R2)
Standard
FET タイプ
Standard
FET 機能
標準
ドレンにソース電圧 (Vdss)
Standard
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
Standard
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
Standard
Vgs (th) (最大) @ Id
Standard
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
Standard
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
Standard
周波数
Standard
定格電流 (アンペア)
Standard
雑音指数
Standard
パワー出力
Standard
電圧定格
Standard
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
Standard
Vgs (最大)
Standard
IGBT タイプ
Standard
構成
Standard
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
Standard
入力容量 (Cies) @ Vce
Standard
入力
Standard
NTC サーミスタ
Standard
電圧内訳 (V (BR) GSS)
Standard
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
電流ドレイン (Id)-Max
Standard
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
Standard
抵抗 RDS (On)
Standard
電圧
Standard
電圧出力
Standard
電圧オフセット (Vt)
Standard
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
Standard
電流谷 (Iv)
Standard
電流ピーク
Standard
アプリケーション
Standard
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包装と配送
梱包の詳細
標準パッケージ
ポート
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供給能力
供給能力
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リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 50000 | > 50000 |
| 推定時間（日） | 1 | 交渉による |
カスタマイズ
カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 10000
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