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      MRF150トランジスタRFパワーFET 150W 150MHz 50V

      レビューはまだありません3 点販売
      Shenzhen Keyongbang Electronics Co., Ltd.2 yrsCN
      ホバーでズームイン

      キー属性

      中核事業の明細

      モデル番号
      MRF150 transistors
      タイプ
      Mosfet
      銘柄
      Original
      パッケージのタイプ
      表面実装

      その他の属性

      取付タイプ
      Through Hole
      説明
      /
      原産地
      China
      パッケージ/ケース
      TO-220-3
      タイプ
      JFET, Triode Transistor
      実用温度
      -55°C ~ 175°C (TJ), Standrad
      d/c
      In-Stock
      サプライヤータイプ
      オリジナルメーカー
      クロスリファレンス
      2SJ6920
      メディア利用可能
      データシート, 写真
      品名
      MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
      電流コレクタ (Ic) (最大)
      15A
      電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
      250V
      Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
      202A
      電流コレクタカットオフ (最大)
      0.5A
      を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
      75 @ 3A, 5V
      電源-Max
      333
      周波数遷移
      30MHz
      マウンティング類
      other
      抵抗-ベース (R1)
      110Ω
      抵抗-エミッタベース (R2)
      200Ω
      FET タイプ
      N-Channel
      FET 機能
      適用されません
      ドレンにソース電圧 (Vdss)
      55V
      電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
      110A (Tc)
      Rds (最大) @ Id 、 Vgs
      290m0hm 10A,10V
      Vgs (th) (最大) @ Id
      5V 250HA
      ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
      54nC 10V
      入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
      1500pF 25V
      周波数
      -
      定格電流 (アンペア)
      5μA
      雑音指数
      -
      パワー出力
      -
      電圧定格
      5V
      ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
      10V
      Vgs (最大)
      ±20V
      IGBT タイプ
      -
      構成
      適用されません
      Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
      -
      入力容量 (Cies) @ Vce
      -
      入力
      -
      NTC サーミスタ
      -
      電圧内訳 (V (BR) GSS)
      -
      電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      電流ドレイン (Id)-Max
      18 A
      電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
      -
      抵抗 RDS (On)
      52 mOhms
      電圧
      55V
      電圧出力
      40V
      電圧オフセット (Vt)
      40V
      電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
      -
      電流谷 (Iv)
      -
      電流ピーク
      -
      アプリケーション
      other
      Warranty
      90days
      ROHS
      Yes
      Moq
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