ホバーでズームイン
パワーIGBTトランジスタMOSFETダイオードSTGP10NC60KD
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
-
タイプ
Igbtトランジスタ
銘柄
Original Brand
パッケージのタイプ
穿孔
その他の属性
取付タイプ
標準
説明
パワーIGBTトランジスタ
原産地
Original
パッケージ/ケース
標準
タイプ
ブランドの新しいオリジナル
実用温度
標準
シリーズ
標準
d/c
最新
適用
アンプ
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー
クロスリファレンス
カスタマーサービスに連絡する
メディア利用可能
データシート
品名
トランジスタ
電流コレクタ (Ic) (最大)
標準
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
標準
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
標準
電流コレクタカットオフ (最大)
標準
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
標準
電源-Max
標準
周波数遷移
標準
動作温度
Standard
マウンティング類
穴を通して
抵抗-ベース (R1)
標準
抵抗-エミッタベース (R2)
標準
FET タイプ
標準
FET 機能
標準
ドレンにソース電圧 (Vdss)
標準
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
標準
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
標準
Vgs (th) (最大) @ Id
標準
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
標準
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
標準
周波数
標準
定格電流 (アンペア)
標準
雑音指数
標準
パワー出力
標準
電圧定格
標準
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
標準
Vgs (最大)
標準
IGBT タイプ
標準
構成
標準
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
標準
入力容量 (Cies) @ Vce
標準
入力
標準
NTC サーミスタ
標準
電圧内訳 (V (BR) GSS)
標準
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
標準
電流ドレイン (Id)-Max
標準
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
標準
抵抗 RDS (On)
標準
電圧
標準
電圧出力
標準
電圧オフセット (Vt)
標準
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
標準
電流谷 (Iv)
標準
電流ピーク
標準
アプリケーション
アンプ
トランジスタタイプ
ブランドの新しいオリジナル
RoHS
はい
データシート
提供されるデータシート
認証
ISO9001/CE
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 推定時間（日） | 3 | 交渉による |
カスタマイズ
カスタマイズされたロゴ
最低 注文: 10000
カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 10000
グラフィックのカスタマイズ
最低 注文: 10000
カスタマイズの詳細については、 サプライヤーにメッセージを送信
サプライヤーからの製品説明
10 - 99 ピース
₫2,546
>= 100 ピース
₫1,273
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