ホバーでズームイン
トライオードTO-3P FSW25N50B MOS電界効果管
レビューはまだありません
キー属性
中核事業の明細
モデル番号
FSW25N50B
タイプ
標準
銘柄
original brand
パッケージのタイプ
穿孔
その他の属性
取付タイプ
スルーホール
説明
トランジスタ
原産地
California, United States
パッケージ/ケース
TO-220-3
タイプ
RFトランジスタ, Triodeトランジスタ
実用温度
を使用します。
シリーズ
FDC5614P
d/c
新しい
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, Odm, 代理店
クロスリファレンス
FDC5612-NL
メディア利用可能
データシート, 写真, EDA/CAD モデル
品名
を使用します。
電流コレクタ (Ic) (最大)
を使用します。
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
を使用します。
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
を使用します。
電流コレクタカットオフ (最大)
を使用します。
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
を使用します。
電源-Max
を使用します。
周波数遷移
を使用します。
抵抗-ベース (R1)
を使用します。
抵抗-エミッタベース (R2)
を使用します。
FET タイプ
を使用します。
ドレンにソース電圧 (Vdss)
を使用します。
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
を使用します。
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
を使用します。
Vgs (th) (最大) @ Id
を使用します。
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
を使用します。
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
を使用します。
周波数
を使用します。
定格電流 (アンペア)
を使用します。
雑音指数
を使用します。
パワー出力
を使用します。
電圧定格
を使用します。
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
を使用します。
Vgs (最大)
を使用します。
IGBT タイプ
を使用します。
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
を使用します。
入力容量 (Cies) @ Vce
を使用します。
入力
を使用します。
NTC サーミスタ
を使用します。
電圧内訳 (V (BR) GSS)
を使用します。
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
を使用します。
電流ドレイン (Id)-Max
を使用します。
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
を使用します。
抵抗 RDS (On)
を使用します。
電圧
を使用します。
電圧出力
を使用します。
電圧オフセット (Vt)
を使用します。
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
を使用します。
電流谷 (Iv)
を使用します。
電流ピーク
...
アプリケーション
を使用します。
商品名
FSW25N50B
日付コード
最新
アイテム名
FSW25N50B TO-3P
条件
新しいオリジナル
サンプル供給
有効
詳細
お問い合わせ
リードフリーステータス
リードFreePB
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 推定時間（日） | 5 | 交渉による |
サプライヤーからの製品説明
100 - 499 ピース
€1.41
500 - 999 ピース
€0.9311
>= 1000 ピース
€0.837
Membership benefits
US $1,000 未満のご注文には迅速に返金さらに表示
この製品への保護
この製品への保護
安全なお支払い![]()
Alibaba.com で行われるお支払いはすべて厳格な SSL 暗号化と PCI DSS データ保護プロトコルで保護されています
返金ポリシー![]()
ご注文品が出荷されていないか、行方不明になっている場合、または製品に問題がある場合は返金を請求してください
Alibaba.com は、プラットフォーム上で発注され、お支払いされたお客様のすべてのご注文を保護します