ホバーでズームイン
S8050 J3Y S8550 2TY 300mA 500mA SS8050 Y1 SS8550 Y2 1.2A 1.5A 25Vシリコンエピタキシアルプレーナトランジスタ3000pcs/Roll
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
S8050
タイプ
バイポーラトランジスタ
銘柄
JSMSEMI
パッケージのタイプ
表面実装
その他の属性
取付タイプ
SOT23
説明
500mA 25V Silicon Epitaxial Planar Transistor
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
SOT-23
タイプ
Transistor
実用温度
-55-150C
d/c
2024
適用
電源スイッチ回路
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー
クロスリファレンス
S8550
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
Transistor
電流コレクタ (Ic) (最大)
500MA
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
25V
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
0
電流コレクタカットオフ (最大)
500MA
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
25V
電源-Max
300MW
動作温度
-55-150
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
0
抵抗-エミッタベース (R2)
0
FET タイプ
General Purpose Amplifier
FET 機能
シリコンカーバイド (SiC)
ドレンにソース電圧 (Vdss)
25V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
500MA
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
0
Vgs (th) (最大) @ Id
0
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
0
周波数
0
定格電流 (アンペア)
500MA
雑音指数
0
パワー出力
300MW
電圧定格
25V
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
25V
IGBT タイプ
Transistor
構成
適用されません
入力
300MW
電圧内訳 (V (BR) GSS)
25V
電流ドレイン (Id)-Max
500MA
電圧
25V
電圧出力
25V
電圧オフセット (Vt)
25V
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
500MA
電流谷 (Iv)
500MA
電流ピーク
500MA
アプリケーション
General Purpose Amplifier
トランジスタタイプ
Silicon Epitaxial Planar Transistor
包装と配送
販売単位：
単一品目
単一のパッケージサイズ：
22X22X4 cm
単一の総重量：
0.150 kg
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