高電圧電源用900V 13A MOSFET NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFETトランジスタTO-3PNパッケージ
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キー属性
中核事業の明細
モデル番号
AKT13N90N
タイプ
Mosfet
銘柄
AIKO
パッケージのタイプ
穿孔
その他の属性
取付タイプ
穴を通して
説明
低いオン抵抗, 100% 雪崩テスト, 高いEASとの良好な安定性と均一性, 高いESD能力のための特別なプロセス技術
原産地
Zhejiang, China
パッケージ/ケース
TO-3PN
タイプ
MOSFETトランジスタ
実用温度
-55 ℃ ~ + 150 ℃
シリーズ
MOSFET
適用
高電圧電源またはパルス回路
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, Odm
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
AKT13N90N 900V 13A NチャネルパワーMOSFET
電流コレクタ (Ic) (最大)
13A(TC = 25 ℃), 6.3A(TC = 100 ℃)
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
900V
電流コレクタカットオフ (最大)
52A
電源-Max
300W
動作温度
-55 °C ~ 150 °C
マウンティング類
穴を通して
ドレンにソース電圧 (Vdss)
900V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
13A
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
1.2オーム
Vgs (th) (最大) @ Id
5V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
90nC
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3300pF
定格電流 (アンペア)
13A
電圧定格
900V
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
3-5V
構成
シングル
電圧内訳 (V (BR) GSS)
900V
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
10uA
電流ドレイン (Id)-Max
13A
抵抗 RDS (On)
1.2オーム
電圧
900V
電圧オフセット (Vt)
± 30V
電流谷 (Iv)
6.3A
電流ピーク
13A
アプリケーション
高電圧電源またはパルス回路。
トランジスタタイプ
MOSFETトランジスタ, Nチャネル, 強化モード
VDSS
900V
VGSS
± 30V
ドレイン電流 (TC = 25 ℃)
13A
ドレイン電流 (TC = 100 ℃)
6.3A
シングルパルス雪崩エネルギー
1100mJ
最大パワー散逸 (TC = 25 ℃)
300W
ターンオフ遅延時間
260ns
総ゲートチャージ
90nC
アプリケーション1
高電圧電源
アプリケーション2
パルス回路
包装と配送
販売単位：
単一品目
単一のパッケージサイズ：
1X3X5 cm
単一の総重量：
0.006 kg
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 50000 | 50001 - 100000000 | > 100000000 |
| 推定時間（日） | 20 | 30 | 交渉による |
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サンプル
最大発注数量： 10 ピース
サンプル価格：
₩1,404/ピース
カスタマイズ
Customized logo
最低 注文: 100000
Customized packaging
最低 注文: 100000
Graphic customization
最低 注文: 100000
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サプライヤーからの製品説明
50000 - 99999999 ピース
₩281
>= 100000000 ピース
₩71
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