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      電子部品AOTF4N60 MOSFET TF4N60トランジスタ4N60 TO-220F新品100% オリジナル

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      Shenzhen Xingyaosheng Technology Co., Ltd.3 yrsCN
      ホバーでズームイン

      キー属性

      中核事業の明細

      モデル番号
      AOTF4N60
      タイプ
      Mosfet
      銘柄
      Original
      パッケージのタイプ
      穿孔

      その他の属性

      取付タイプ
      標準
      説明
      標準
      原産地
      Guangdong, China
      パッケージ/ケース
      /
      タイプ
      MOSFET
      実用温度
      -55 °C ~ 150 °C(TJ)
      d/c
      21
      適用
      パワーアンプ用途
      サプライヤータイプ
      オリジナルメーカー, 小売店
      メディア利用可能
      データシート
      品名
      翻訳者
      電流コレクタ (Ic) (最大)
      60A
      電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
      40V
      Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
      1.5V @ 600mA、6A
      電流コレクタカットオフ (最大)
      50nA (ICBO)
      を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
      100 @ 10mA、1V
      電源-Max
      208W
      周波数遷移
      300MHz
      動作温度
      -55 °C ~ 175 °C (TJ)
      マウンティング類
      穴を通して
      抵抗-ベース (R1)
      -
      抵抗-エミッタベース (R2)
      -
      FET タイプ
      Nチャネル
      FET 機能
      -
      ドレンにソース電圧 (Vdss)
      75V
      電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
      100A (Tc)
      Rds (最大) @ Id 、 Vgs
      7.8mOhm @ 78A、10V
      Vgs (th) (最大) @ Id
      4V @ 250UA
      ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
      250nC @ 10V
      入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
      5600pF @ 25V
      周波数
      -
      定格電流 (アンペア)
      -
      雑音指数
      -
      パワー出力
      -
      電圧定格
      -
      ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
      10V
      Vgs (最大)
      ± 20V
      IGBT タイプ
      -
      構成
      -
      Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
      2.4V @ 15V、26A
      入力容量 (Cies) @ Vce
      -
      入力
      -
      NTC サーミスタ
      -
      電圧内訳 (V (BR) GSS)
      -
      電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      電流ドレイン (Id)-Max
      -
      電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
      -
      抵抗 RDS (On)
      -
      電圧
      -
      電圧出力
      -
      電圧オフセット (Vt)
      -
      電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
      -
      電流谷 (Iv)
      -
      電流ピーク
      -
      アプリケーション
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      在庫あり
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      品質
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