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キー属性

中核事業の明細

モデル番号
Transistor/All
タイプ
Mosfet
銘柄
Original manufacturer

その他の属性

取付タイプ
Surface Mount
説明
/
原産地
China
パッケージ/ケース
SOT-363
タイプ
integrated circuit, Transistor
実用温度
- 55℃ to + 175℃
d/c
NEW
サプライヤータイプ
-
メディア利用可能
-
品名
-
電流コレクタ (Ic) (最大)
-
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
-
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
電流コレクタカットオフ (最大)
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
電源-Max
-
周波数遷移
-
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
-
ドレンにソース電圧 (Vdss)
100 V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
-
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
290m0hm 10A,10V
Vgs (th) (最大) @ Id
5V 250HA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
54nC 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1500pF 25V
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
-
Vgs (最大)
-
IGBT タイプ
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
18 A
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
52 mOhms
電圧
-, Standard V
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
other
Payment ways
TT/WESTERN UNION/PAYPAL AND SO ON
ROHS
YES
Temperature
Standard T
Date Code
Brand New
Brand Name
NO brand
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カスタマイズされたパッケージ
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THB 36.94
100 - 199 ピース
THB 32.84
>= 200 ピース
THB 25.38

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