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      電子部品HYG065N07NS1B TO-263-2L Mosfetパワートランジスタスイッチング用途Li-Battery Protection N-Channel Enhancement Mode

      レビューはまだありません
      Zhuhai Quantrons Technology Co., Ltd.1 yrCN
      ホバーでズームイン

      キー属性

      中核事業の明細

      モデル番号
      HYG065N07NS1B TO-263-2L
      タイプ
      Mosfet
      銘柄
      HUAYI
      パッケージのタイプ
      表面実装

      その他の属性

      取付タイプ
      SMT
      説明
      N-Channel Enhancement Mode MOSFET
      原産地
      Guangdong, China
      パッケージ/ケース
      PDFN8L(5x6)
      タイプ
      MOSFET
      d/c
      2023
      適用
      other
      サプライヤータイプ
      オリジナルメーカー, Other
      クロスリファレンス
      HY1906B
      メディア利用可能
      データシート, Other
      品名
      MOSFET
      電流コレクタ (Ic) (最大)
      320
      電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
      30V
      動作温度
      150°C (TJ)
      マウンティング類
      表面実装
      ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
      0.8mΩ
      アプリケーション
      Switching application

      包装と配送

      梱包の詳細
      5k/リール
      販売単位：
      単一品目
      単一のパッケージサイズ：
      5.25X6.15X1.1 cm
      単一の総重量：
      0.100 kg
      もっと見る

      リードタイム

      数量 (ピース)1 - 50005001 - 1000010001 - 20000 > 20000
      推定時間（日）71015交渉による
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      サンプル

      最大発注数量： 5 ピース
      サンプル価格：
      $20.00/ピース

      サプライヤーからの製品説明

      5000 - 9999 ピース
      $0.20
      10000 - 19999 ピース
      $0.19
      >= 20000 ピース
      $0.17

      バリエーション

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