トライオードトランジスタMMBT8050S8050 J3Y SOT23 MMBT8050LT1G SOT-23

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Shenzhen Xingcheng Electronics Co., Ltd.1 yr

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キー属性

中核事業の明細

モデル番号

S8050 J3Y

タイプ

TRANSISTOR

銘柄

NEW RISE

パッケージのタイプ

表面実装

その他の属性

取付タイプ

SMD

説明

SOT23-3

原産地

Guangdong, China

パッケージ/ケース

SOT-23

タイプ

Transistor

d/c

適用

PCB

サプライヤータイプ

Other

メディア利用可能

データシート, 写真

品名

電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)

Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic

を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce

動作温度

マウンティング類

表面実装

抵抗-ベース (R1)

抵抗-エミッタベース (R2)

ドレンにソース電圧 (Vdss)

電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C

Rds (最大) @ Id 、 Vgs

Vgs (th) (最大) @ Id

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

周波数

定格電流 (アンペア)

雑音指数

パワー出力

電圧定格

ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)

Vgs (最大)

IGBT タイプ

Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic

入力容量 (Cies) @ Vce

入力

NTC サーミスタ

電圧内訳 (V (BR) GSS)

電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

電流ドレイン (Id)-Max

電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id

抵抗 RDS (On)

電圧

電圧出力

電圧オフセット (Vt)

電流ゲートアノードに漏れ (Igao)

電流谷 (Iv)

電流ピーク

アプリケーション

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販売単位：

単一品目

単一のパッケージサイズ：

1X1X1 cm

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