ホバーでズームイン
トランジスタ2302 A2SHB SOT-23 2302 A2SHB MOSFETダイオードトライオード
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キー属性
中核事業の明細
タイプ
Mosfet
銘柄
Original
パッケージのタイプ
表面実装
その他の属性
原産地
China
パッケージ/ケース
1
適用
マイクロフォン
サプライヤータイプ
代理店, Odm, オリジナルメーカー, 小売店
クロスリファレンス
2302 A2SHB
メディア利用可能
データシート, EDA/CAD モデル, 写真
品名
Mos
電流コレクタ (Ic) (最大)
1
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
1
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
1
電流コレクタカットオフ (最大)
1
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
1
電源-Max
1
周波数遷移
1
抵抗-ベース (R1)
1
抵抗-エミッタベース (R2)
1
FET タイプ
1
FET 機能
シリコンカーバイド (SiC)
ドレンにソース電圧 (Vdss)
1
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
1
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
1
Vgs (th) (最大) @ Id
1
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
1
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1
周波数
1
定格電流 (アンペア)
1
雑音指数
1
パワー出力
1
電圧定格
1
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
1
Vgs (最大)
1
IGBT タイプ
1
構成
シングル
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
1
入力容量 (Cies) @ Vce
1
入力
1
NTC サーミスタ
1
電圧内訳 (V (BR) GSS)
1
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1
電流ドレイン (Id)-Max
1
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
1
抵抗 RDS (On)
1
電圧
1
電圧出力
1
電圧オフセット (Vt)
1
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
1
電流谷 (Iv)
1
電流ピーク
1
アプリケーション
1
包装と配送
梱包の詳細
Nb
ポート
shenzhen
供給能力
供給能力
9999 パック per Day
リードタイム
| 数量 (パック) | 1 - 1000 | 1001 - 100000 | 100001 - 10000000 | > 10000000 |
| 推定時間（日） | 3 | 5 | 7 | 交渉による |
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