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トランジスタSTP60NF10オリジナルチップP60NF10 Nチャンネル100V 80A 300W

レビューはまだありません

キー属性

中核事業の明細

モデル番号
Stp60nf10
タイプ
-
銘柄
DYD TECH
パッケージのタイプ
-

その他の属性

原産地
Germany
パッケージ/ケース
TO-220-3
d/c
-
適用
電子
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー, Odm, 代理店, 小売店
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
電流コレクタ (Ic) (最大)
5A
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
100V
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
4V @ 20mA、5A
電流コレクタカットオフ (最大)
500uA
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
1000 @ 3A、3V
電源-Max
2W
周波数遷移
-
動作温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ) 、-55 °C ~ 150 °C (TJ)
マウンティング類
穴を通して
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
Nチャネル
FET 機能
ショットキー · ダイオード (絶縁)
ドレンにソース電圧 (Vdss)
100V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
23mOhm @ 40A、10V、23mOhm @ 40A、10V
Vgs (th) (最大) @ Id
4V @ 250uA、4V @ 250uA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
104nC @ 10V、104nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4270pF @ 25V、4270pF @ 25V
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
10V
Vgs (最大)
± 20V、 ± 20V
IGBT タイプ
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
-
部品番号
STP60NF10
パワー散逸 (マックス)
300W (Tc)
パッケージ/ケース
TO-220-3
テクノロジー
MOSFET (金属酸化物)

リードタイム

数量 (ピース)1 - 10000 > 10000
推定時間(日)8交渉による

サプライヤーからの製品説明

10 - 199 ピース
SAR 11.46
>= 200 ピース
SAR 7.64

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