ホバーでズームイン
半導体用Xinkehui焼結炭化シリコンSiC基板ウエハー
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キー属性
その他の属性
原産地
Shanghai
銘柄
XInkehui
モデル番号
customized
タイプ
Sicウエハ
素材
SiCシングルクリスタル4H-Nタイプ
厚さ
0.35-0.5mm
グレード
ダミー/生产グレード
サーフェス
ダブルサイド研磨
直径
150 ± 0.5mm
アプリケーション
デバイスメーカー研磨テスト
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 25 | > 25 |
| 推定時間（日） | 15 | 交渉による |
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